بهبود مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید

thesis
abstract

این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز نیمه هادی و ارائه چندین ساختار نوین برای آنها می پردازد. با توجه به اهمیت ترانزیستورهای قدرت و کاربرد گسترده آنها در علوم مختلف از جمله در تجهیزات نظامی، در تمام ساختارهای ارائه شده سعی بر آن است که تا حد ممکن مشخصات توانی و فرکانسی ترانزیستور را بطور همزمان افزایش دهیم. ابتدا مسفتی از جنس گالیم آرسناید مورد مطالعه قرار گرفته است که در آن از تکنولوژی ناحیه دریفت چند گودی و ناحیه ای با ناخالصی pاستفاده شده است. این ساختار عمدتا برای بهبود مشخصات فرکانسی ترانزیستور می باشد. در ساختار بهینه سازی شده بعدی از ساختاری متناوب از لایه های بدون ناخالصی در کانال بهره گرفته شده است که این ساختار متناوب سبب بهبود توزیع میدان در کانال و افزایش مشخصات فرکانسی مسفت می گردد. سپس مسفتی با گیت پله ای ارائه می گردد که شکل جدید گیت موجب بهبود توان و پارامترهای فرکانسی مسفت می شود. پس از آن ساختاری نوین متشکل از روش های صفحه میدان و ناحیه دریفت چند گودی ارائه می گردد که در آن ولتاژ شکست، حداکثر فرکانس نوسان و حداکثر بهره موجود بهبود قابل توجهی دارند. در نهایت، مسفت با لایه ای بدون ناخالصی در ناحیه کانال مطرح گردیده و مشخصات dc و فرکانسی آن مورد تحلیل قرار می گیرد.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

بررسی عملکرد و ویژگی های ترانزیستورهای اثر میدان فلز- نیمه هادی (مسفت)

دراین پایان نامه یک ترانزیستور فلز – نیمه هادی (مسفت ) بر روی عایق با ساختاری نوین پیشنهاد شدهاست. تلاش ها در راستای کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در طرف درین بوده است. توزیع بار در ساختار پیشنهادی نسبت به ساختار مرسوم در کانال بهبود نسبی یافته و این امر به وسیله کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در جانب درین رخ داده است، در نتیجه ولتاژ شکست به شکل ملموسی بهبود یافته است. به منظور ک...

15 صفحه اول

بهبود مشخصات الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدان نفوذ افقی

در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از ج...

کاربردها، مزایا و معایب آشکارسازهای گالیم آرسناید

شهین مرادنسب بدرآبادی 1، داریوش سرداری2، میترا اطهری2آشکارسازهای ذرات یا پرتو ابزاری هستند که با آن‌ها ذرات پرانرژی را آشکار، ردیابی یا شناسایی می‌کنند. یکی از این آشکارسازها گالیم آرسناید (GaAs) می باشد. مشکلات در تولید لایه های ضخیم با دوپینگ (ناخالص سازی یا تغلیظ) به اندازه کافی کم نیاز به عمق‌های تهی سازی کافی (بیشتر از 100 میکرومتر) داشت، در حالی که مانع توسعه بیشتر می‌شدند. سپس، علاقه جدی...

full text

آنالیز و بهبود مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان نفوذی افقی (ldmos)

در این رساله به تحلیل و بررسی افزاره های قدرت به ویژه ترانزیستور ldmos پرداخته شد. این افزاره ها می توانند در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق نیز شکل گیرند. این تکنولوژی مزایای بسیاری از جمله کاهش جریان های نشتی، ایزولاسیون بهتر میان افزاره ها، کاهش خازن های پراکندگی و سایر موارد را داراست. ساختارهای مختلفی نیز در گذشته برای بهبود مشخصات ترانزیستورهای ldmos که در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق شکل گرفته ش...

15 صفحه اول

طراحی و رشد سلول خورشیدی با ساختار pn با نیمه هادی گالیم آرسناید (gaas)، به روش mbe

هدف از این پایان نامه طراحی و رشد سلول خورشیدی با ساختار pn با نیمه هادی گالیم آرسناید، به روش رونشستی پرتو مولکولی (mbe) می باشد. اساس تولید انرژی الکتریکی در سلول های خورشیدی، پدیده فتوولتائیک است که طی آن در یک دیود pn براثر تابش نور، جریان الکتریکی تولید می شود. دلیل استفاده از دیود pn این است که برای تبدیل نور به انرژی الکتریکی لازم است الکترون ها و حفره های تولید شده توسط نور، از یکدیگر ج...

15 صفحه اول

کاربردها، مزایا و معایب آشکارسازهای گالیم آرسناید

شهین مرادنسب بدرآبادی 1، داریوش سرداری2، میترا اطهری2آشکارسازهای ذرات یا پرتو ابزاری هستند که با آن ها ذرات پرانرژی را آشکار، ردیابی یا شناسایی می کنند. یکی از این آشکارسازها گالیم آرسناید (gaas) می باشد. مشکلات در تولید لایه های ضخیم با دوپینگ (ناخالص سازی یا تغلیظ) به اندازه کافی کم نیاز به عمق های تهی سازی کافی (بیشتر از 100 میکرومتر) داشت، در حالی که مانع توسعه بیشتر می شدند. سپس، علاقه جدی...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - پژوهشکده برق و کامپیوتر

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023